PECVD技术是上世纪70年代初发展起来的新工艺，主要是为了适应现代半导体工业的发展，制取优质介质膜；适用于硅片、太阳能电池板的镀膜防护应用。以下，百腾小编就来简单分享何为PECVD沉积工艺知识（一）

PECVD工作原理

PECVD系统是一组用平行板镀膜舟和高频等离子激发器的系列发生器。在低压和升温的情况下，等离子发生器直接装在镀膜板中间的介质的中间发生反应。所用的活性气体为硅烷和氨这些气体作用于存储在硅片上的氮化硅。可以根据改变硅烷对氨的比率，来得到不同的折射指数。在沉积工艺中，伴有大量的氢原子和氢离子的产生，使得晶片的氢钝化性十分良好。

现代科技对半导体器件的可靠性和稳定性要求越来越高，为了防止器件制造过程中的表面玷污，必须进行表面钝化，用 PECVD法制备的钝化膜的沉积实在低温(200~400℃)进行的，钝化效果好，失效时间长，具有良好的热学和化学稳定性。

在PECVD沉积工艺中为了更好的提升产品镀膜工艺，一般会用到镀膜陪片，作为每批次产品镀膜技术参考，及给客户产品留样，以便下次镀膜比对用等作用。

简述PECVD沉积工艺中的镀膜陪片作用

PECVD沉积工艺的镀膜陪片，通过在硅片表面先制作绒面，然后在绒面的表面预先沉积有二氧化硅膜层，因而在镀膜陪片进行返工清洗过程中，由于待沉积膜的底层有一层相对疏松的二氧化硅膜层，使得酸洗时就会大大提升去除待沉积膜的时间和效果，因此，其能够对PECVD工艺中沉积的氮化硅膜层快速去除并且去除效果好，从而利于重复利用。

镀膜陪片具体实施方式

适用于PECVD沉积工艺的镀膜陪片：包括硅片1.硅片；2.绒面；3.待沉积层；4.二氧化硅膜层。

该镀膜陪片在PECVD沉积工艺中，待沉积膜沉积于所述二氧化硅膜层的表面。其中，所述待沉积膜为氮化硅膜层、氧化铝膜层、二氧化钛膜层或氮氧化硅膜层。具体根据实际需要而定。

优选的，所述二氧化硅膜层的厚度为5～40nm，如厚度可以为5nm、7nm、10nm、12nm、15nm、17nm、19nm、23nm、25nm、28nm、30nm、32nm、34nm、36nm、37nm、38nm、39nm、40nm，这样在后续返工处理时，由于待沉积膜如氮化硅等的底层有一层相对疏松的二氧化硅膜层，因而在酸洗时就会大大的提升去除氮化硅膜层的时间和效果。

进一步地，所述硅片的厚度不小于180um，如厚度可以为180um、188um、192um、195um、200um等，从而可以避免硅片破碎。

在实施例中，由于其镀膜陪片是用于PECVD沉积实验，因而镀膜陪片需要在硅片的表面先制绒，使硅片的表面形成绒面，而且镀膜陪片的绒面的大小需要和实验时的真片的表面绒面保持一致，例如，镀膜陪片和真片的表面绒面坑洞大小的差异要保持在10％以内；正是由于PECVD的镀膜方式是属于直接式的，硅片是电极的一部分，是直接参与反应镀膜的，因而硅片表面不同的绒面会导致薄膜沉积的速率不同，因而如果镀膜陪片的表面的绒面和真片差异较大，就会影响到真片的镀膜效果，从而影响实验结果。

综上所述，在PECVD沉积工艺中镀膜陪片使用，利用二氧化硅膜层的疏松特性，利于酸洗时去除之前沉积的待沉积膜，便于重复利用。有效节约成本，更好地为PECVD沉积工艺试样提升工作效率。

百腾Penta精耕镀膜行业30年，我们将会持续为大家提供Parylene真空气镀膜技术行业资讯和相关问题解答，百腾Penta开发的PVD真空镀膜机，CVD真空镀膜机，XeF2二氟化氙蚀刻机，真空脱气炉，二氟化氙材料、派瑞林材料，提供派瑞林(Parylene)纳米涂层加工。并可根据不同需求设计定制派拉伦（parylene）真空镀膜设备和与其配套的相关设备系统，帮助企业产品提升更好防护品质。